Journal of Experimental and Theoretical Physics |
|
|
 |
|
 |

ZhETF, Vol. 168, No. 3, September 2025
(English translation - JETP,
Vol. 141, No. 3, September 2025
available on-line at www.springer.com
)
1. Атомы, молекулы, оптика |
Механизм межзонной оже-рекомбинации в InGaN/GaN квантовых ямах в присутствии встроенного пьезоэлектрического поля
|
285
|
Сродство молекул к электрону и активационный барьер на пути автоотщепления электрона из газофазных молекулярных отрицательных ионов
|
296
|
Генерация второй гармоники в массивах металлических частиц на феррит-гранате
|
304
|
Искусственный одноосный кристалл и управление расходимостью лазерного излучения
|
315
|
Влияние плотности мишени на зарядовые состояния ионов урана с энергией 1.4 МэВ/н при взаимодействии с газом О2
|
325
|
Cavity QED with Degenerate Atomic Levels and Polarization-Degenerate Field Mode
|
331
|
2. Ядра, частицы, поля, гравитация и астрофизика |
Первые экспериментальные результаты, полученные на установке ENDA-INR
|
343
|
4. Порядок, беспорядок и фазовые переходы в конденсированных средах |
Критическое поведение трехкомпонентной модели Поттса с вмороженным беспорядком на квадратной решетке
|
350
|
Численное исследование проводимости двумерной модели Рэлея с диэлектрическими включениями
|
357
|
Проявление медленной динамики в гейзенберговских спиновых структурах
|
365
|
Магнитооптическая спектроскопия мемристорных нанокомпозитных пленок CoFeB-LiNbO3
Симдянова М.А., Ганьшина Е.А., Припеченков И.М., Николаев С.Н., Быков И.В., Дорофеенко А.В., Васильев А.Л., Ситников А.В., Рыльков В.В., Юрасов А.Н., Грановский А.Б.
ID:25118 | |
|
|
382
|
Экспериментальные исследования перехода жидкость-стекло для As2S3 при высоких гидростатических давлениях до 5 ГПа
|
390
|
On the Theory of Homogeneous Nucleation of Crystals from Melts
|
401
|
Stabilization of the Collinear Plateau Phase by Thermal Fluctuations in the Diluted Triangular Lattice Antiferromagnet Rb(1-x)KxFe(MoO4)2
|
414
|
5. Электронные свойства твердых тел |
Процессы электрон-электронного рассеяния в квантовых ямах в квантующем магнитном поле. I.Внутриподзонное рассеяние
|
425
|
Влияние токов утечки на резистивное переключение и процедуру формовки мемристивных OxRAM-устройств
|
440
|
|
|
|
|