öÕÒÎÁÌ üËÓÐÅÒÉÍÅÎÔÁÌØÎÏÊ É ôÅÏÒÅÔÉÞÅÓËÏÊ æÉÚÉËÉ
îáþáìï | ðïéóë | äìñ á÷ôïòï÷ | ðïíïýø      e
ïÂÝÁÑ ÉÎÆÏÒÍÁÃÉÑ Ï ÖÕÒÎÁÌÅ
úÏÌÏÔÙÅ ÓÔÒÁÎÉÃÙ
áÄÒÅÓÁ ÒÅÄÁËÃÉÉ
óÏÄÅÒÖÁÎÉÅ ÖÕÒÎÁÌÁ
óÏÏÂÝÅÎÉÑ ÒÅÄÁËÃÉÉ
ðÒÁ×ÉÌÁ ÄÌÑ Á×ÔÏÒÏ×
úÁÇÒÕÚÉÔØ ÓÔÁÔØÀ
ðÒÏ×ÅÒÉÔØ ÓÔÁÔÕÓ ÓÔÁÔØÉ


öüôæ, ôÏÍ 131, ÷ÙÐ. 1, ñÎ×ÁÒØ 2007
(áÎÇÌÉÊÓËÉÊ ÐÅÒÅ×ÏÄ - JETP, Vol. 104, No 1, January 2007 ÄÏÓÔÕÐÅÎ on-line ÎÁ www.springer.com )


áÔÏÍÙ, ÍÏÌÅËÕÌÙ, ÏÐÔÉËÁ

üìåëôòïîîùå óïóôïñîéñ ÷ íåôáììéþåóëéè ëìáóôåòáè
  5
üìåëôòïíáçîéôîùå ÷ïìîù ÷ ïäîïïóîùè ëòéóôáììáè ó íåôáììéúéòï÷áîîùíé çòáîéãáíé: ëïî÷åòóéñ íïä, þéóôùå ïôòáöåîéñ, ïâÿåíîùå ðïìñòéôïîù
  14
ë÷áîôï÷ïå óïóôïñîéå ðáòù éúïôïðï÷ ðòé éè óï÷íåóôîùè óðïîôáîîùè æïôïéóðõóëáîéñè ÷ íáçîéôîïí ðïìå
  30
ðïìñòéúáãéïîîùå ðòåïâòáúï÷áîéñ íîïçïíïäï÷ùè ó÷åôï÷ùè ðïìåê
  37

ðÏÒÑÄÏË, ÂÅÓÐÏÒÑÄÏË É ÆÁÚÏ×ÙÅ ÐÅÒÅÈÏÄÙ × ËÏÎÄÅÎÓÉÒÏ×ÁÎÎÙÈ ÓÒÅÄÁÈ

áîïíáìøîïå ðï÷åäåîéå üìåëôòéþåóëïçï óïðòïôé÷ìåîéñ MnSi ÷ ïâìáóôé æåòòïíáçîéôîïçï æáúï÷ïçï ðåòåèïäá
  54
ó÷åòèðòï÷ïäéíïóôø ÷ ä÷õèúïîîùè óéóôåíáè ó ðåòåíåîîïê ðìïôîïóôøà îïóéôåìåê úáòñäá. óìõþáê MgB2
  59

üÌÅËÔÒÏÎÎÙÅ Ó×ÏÊÓÔ×Á Ô×ÅÒÄÙÈ ÔÅÌ

ïóïâåîîïóôé òáóðòïóôòáîåîéñ îåêôòïîï÷ ÷ óòåäå ó çåìéëïéäáìøîïê íáçîéôîïê óôòõëôõòïê
  71
æïôïéîäõãéòï÷áîîùê æáúï÷ùê ðåòåèïä ðïìõðòï÷ïäîéë - íåôáìì ÷ óéóôåíå ðáêåòìóá
  77
ó÷ñúø çéçáîôóëïê ïâÿåíîïê íáçîéôïóôòéëãéé ó ëïìïóóáìøîùí íáçîéôïóïðòïôé÷ìåîéåí é òáúíñçþåîéåí ëòéóôáììéþåóëïê òåûåôëé ÷ íáîçáîéôáè La1-xAyMnO3 (A = Ca, Ag, Ba, Sr)
  85
óïðòïôé÷ìåîéå ôõîîåìøîïçï âáòøåòá ó ðéîèïìïí
  97
çéçáîôóëïå ÷ïúòáóôáîéå âåóëïîôáëôîïçï ôòåîéñ íåöäõ âìéúëïòáóðïìïöåîîùíé ôåìáíé úá óþåô äéüìåëôòéþåóëéè ðìåîïë é ä÷õíåòîùè óôòõëôõò
  107
ðïìñòîùå ïðôéþåóëéå æïîïîù ÷ ðïìõðòï÷ïäîéëï÷ùè îáîïëòéóôáììáè CdS
  123
õóéìåîéå úïîîïçï íáçîåôéúíá é ïóïâåîîïóôé íáçîéôïõðïòñäïþåîîïçï óïóôïñîéñ ÷ óïåäéîåîéé CeB6 ó óéìøîùíé üìåëôòïîîùíé ëïòòåìñãéñíé
  133
LASER-INDUCED CONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTORS AT LOW TEMPERATURES
  155

óÔÁÔÉÓÔÉÞÅÓËÁÑ, ÎÅÌÉÎÅÊÎÁÑ ÆÉÚÉËÁ, ÆÉÚÉËÁ <<ÍÑÇËÏÊ ÍÁÔÅÒÉÉ>>

üëòáîéòï÷áîéå úáòñäá ÷ ðìáúíå ó ÷îåûîéí éóôïþîéëïí éïîéúáãéé
  164
STEM CELL PROLIFERATION AND DIFFERENTIATION AND STOCHASTIC BISTABILITY IN GENE EXPRESSION
  180
 
óÏÏÂÝÉÔØ Ï ÔÅÈÎÉÞÅÓËÉÈ ÐÒÏÂÌÅÍÁÈ