СКЕЙЛИНГ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ n- InGaAs/GaAs
Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Клепикова А.С., Неверов В.Н., Новокшонов С.Г., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В.

Received: October 22, 2012

DOI: 10.7868/S0044451013070171

DJVU (165.5K)

PDF (379.7K)

Экспериментально исследовано продольное ρ_xx(B) и холловское ρ_xy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в наноструктурах n- InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B=(0-16) Тл и температур T=(0.05-70) К до и после ИК-подсветки. Проведен анализ полученных результатов в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов межэлектронного взаимодействия.