ЖЭТФ, Том 144,
Вып. 1,
стр. 166 (Июль 2013)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 117, No 1,
July 2013
доступен on-line на www.springer.com
)
СКЕЙЛИНГ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ n- InGaAs/GaAs
Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Клепикова А.С., Неверов В.Н., Новокшонов С.Г., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В.
Поступила в редакцию: 22 Октября 2012
DOI: 10.7868/S0044451013070171
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в наноструктурах n- InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B=(0-16) Тл и температур T=(0.05-70) К до и после ИК-подсветки. Проведен анализ полученных результатов в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов межэлектронного взаимодействия.
|
|
Золотые страницы
DJVU (165.5K)
PDF (379.7K)