Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


Поиск публикаций автора "Двуреченский А.В."
Найдено 11
1. Особенности микроструктуры и электронного строения гетеросистем, содержащих квантовые точки Si/GeMn, по данным XAFS-спектроскопии
2. ПЛАВЛЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ, ВСТРОЕННЫХ В КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ МАТРИЦУ, ПОД ДЕЙСТВИЕМ НАНОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
3. Механизм дефектообразования в кристаллах при неупругом торможении высокоэнергетических ионов
4. САМООРГАНИЗАЦИЯ НАНООСТРОВКОВ ГЕРМАНИЯ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ОБЛУЧЕНИИ ПУЧКОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ИОНОВ В ПРОЦЕССЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ СТРУКТУР Ge/Si(100)
5. МЕХАНИЗМ СПИНОВОЙ РЕЛАКСАЦИИ ПРИ ПРЫЖКОВОМ ТРАНСПОРТЕ В ДВУМЕРНОМ МАССИВЕ АСИММЕТРИЧНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
6. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПО МАССИВУ ТУННЕЛЬНО-СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК Ge/Si
7. ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ И КУЛОНОВСКИЕ КОРРЕЛЯЦИИ В ДВУМЕРНЫХ МАССИВАХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК Ge/Si
8. ЭФФЕКТ ЗЕЕМАНА ДЛЯ ДЫРОК В СИСТЕМЕ Ge/Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
9. ЭФФЕКТЫ ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ПЛОТНЫХ МАССИВОВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК Ge/Si
10. ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ В СТРУКТУРАХ Ge/Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
11. Механизм структурных изменений поверхности Si (111) при импульсном воздействии низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии из молекулярного пкчка
Название
Автор
 с   по 
 Искать в русском архиве
 Искать в английском архиве
 
Сообщить о технических проблемах