ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПО МАССИВУ ТУННЕЛЬНО-СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК Ge/Si
Степина Н.П., Якимов А.И., Ненашев А.В., Двуреченский А.В., Соболев Н.А., Лейтао Д.П., Кириенко В.В., Никифоров А.И., Коптев Е.С., Перейра Л., Кармо М.С.

Поступила в редакцию: 9 Февраля 2006

PACS: 73.50.Pz, 73.63.Kv

DJVU (156.6K)

PDF (888.7K)

Представлены результаты исследования фотопроводимости по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/Si. Обнаружено, что фотопроводимость может иметь как положительный, так и отрицательный знак в зависимости от исходного заполнения квантовых точек дырками, а кинетика фотопроводимости носит долговременной характер (10²-10⁴ c при T=4.2 K) и сопровождается эффектом остаточной фотопроводимости, когда система не возвращается к своему равновесному значению даже после нескольких часов релаксации. Данные эффекты наблюдаются при освещении светом с энергией как большей, так и меньшей ширины запрещенной зоны кремния. Обнаружено, что пороговая длина волны света, вызывающего фотопроводимость с медленной кинетикой, зависит от фактора заполнения квантовых точек дырками. Предложена модель, описывающая кинетику фотопроводимости. Показано, что основной вклад в фотопроводимость дает изменение фактора заполнения квантовых точек дырками. Применение модели к анализу кинетики фотопроводимости при разной степени возбуждения системы позволяет восстановить зависимость прыжковой проводимости от концентрации дырок в квантовых точках. Показано, что скорость релаксации концентрации носителей заряда экспоненциальным образом зависит от самой концентрации.