Особенности микроструктуры и электронного строения гетеросистем, содержащих квантовые точки Si/GeMn, по данным XAFS-спектроскопии
Эренбург С.Б., Трубина С.В., Зверева В.А., Зиновьев В.А., Кацюба А.В., Двуреченский А.В., Квашнина К., Voelskow M.

Поступила в редакцию: 31 Июля 2018

DOI: 10.1134/S0044451019020159

PDF (2416.3K)

В рамках использовавшихся методов (спектроскопии ближней и протяженной тонкой структуры рентгеновского поглощения, атомно-силовой микроскопии, резерфордовского обратного рассеяния) проведено исследование особенностей микроструктуры и элементного состава магнитных систем Si/GeMn, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих квантовые точки. Во всех образцах обнаружено интенсивное перемешивание атомов Ge и Si. Степень перемешивания (диффузии) коррелирует с условиями синтеза образцов. Для подобных систем охарактеризованы непосредственные контакты атомов германия с атомами марганца, обнаружено присутствие марганца с тетраэдрической координацией в междоузлиях, а также замещение марганцем германия и кремния в узлах решетки. Присутствие стехиометрических фаз Ge₈Mn₁₁, Ge₃Mn₅ не обнаружено. Установлены корреляции величин координационных чисел Ge, Si и Mn в сфере окружения Ge как с величиной потока Mn (температурой испарителя), так и с температурой, при которой были выращены квантовые точки, а также с другими условиями синтеза, определена концентрация марганца в образцах.