ЖЭТФ, Том 130,
Вып. 3,
стр. 544 (Сентябрь 2006)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 103, No 3,
p. 472,
September 2006
доступен on-line на www.springer.com
)
ЛАЗЕРНАЯ ГЕНЕРАЦИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ
Палто С.П.
Поступила в редакцию: 23 Марта 2006
PACS: 42.70.Df, 42.70.Qs
В матричной форме сформулировано условие лазерной генерации в тонких оптически анизотропных пленках, рассмотрены особенности возбуждения лазерной генерации в жидкокристаллических слоях. В частности, показано, что если пространственная протяженность плоскопараллельного жидкокристаллического слоя существенно превышает его толщину, то реализуются условия для лазерной генерации не только вдоль нормали к слоям, но и во всем угловом секторе. Экспериментально такую генерацию можно наблюдать на экране в виде пятна или концентрических колец. Наиболее низкий порог возбуждения генерации имеют «скользящие» моды, которые выходят в подложку и распространяются почти параллельно плоскости жидкокристаллического слоя. При этом обратная связь, необходимая для лазерной генерации, возникает не за счет торцевых граней ячейки, а благодаря отражению от границ слоя жидкого кристалла, образующего протяженный интерферометр Фабри - Перо. Показано, что в случае холестерических жидких кристаллов утечка энергии в «скользящие» моды, вытекающие в подложки и выходящие из их торцов, является принципиальным фактором, ограничивающим эффективность лазерной генерации на краю фотонной зоны вдоль нормали к этим слоям.
|
|