РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНСПОРТ В СВЕРХРЕШЕТКАХ GaAs/AlGaAs В СИЛЬНОМ НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Теленков М.П., Митягин Ю.А.

Поступила в редакцию: 17 Марта 2006

PACS: 73.21.Fg, 73.22.Dj, 73.63.Hs

DJVU (136.6K)

PDF (379.6K)

Исследован поперечный резонансно-туннельный транспорт в сверхрешетках GaAs/AlGaAs, обусловленный туннельными переходами между уровнями Ландау в соседних квантовых ямах, в сильном наклонном магнитном поле. Показано, что наличие продольной компоненты магнитного поля приводит к появлению интенсивных туннельных переходов между уровнями Ландау с Δ n eq 0. Вклад этих переходов влечет за собой как существенные уширение и сдвиг туннельного резонанса, так и значительные изменения в вольт-амперных характеристиках структур. Предсказанные особенности поведения вольт-амперных характеристик сверхрешеток в наклонном магнитном поле обнаружены экспериментально.