Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 130, Вып. 3, стр. 491 (Сентябрь 2006)
(Английский перевод - JETP, Vol. 103, No 3, p. 428, September 2006 доступен on-line на www.springer.com )

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНСПОРТ В СВЕРХРЕШЕТКАХ GaAs/AlGaAs В СИЛЬНОМ НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Теленков М.П., Митягин Ю.А.

Поступила в редакцию: 17 Марта 2006

PACS: 73.21.Fg, 73.22.Dj, 73.63.Hs

DJVU (136.6K) PDF (379.6K)

Исследован поперечный резонансно-туннельный транспорт в сверхрешетках GaAs/AlGaAs, обусловленный туннельными переходами между уровнями Ландау в соседних квантовых ямах, в сильном наклонном магнитном поле. Показано, что наличие продольной компоненты магнитного поля приводит к появлению интенсивных туннельных переходов между уровнями Ландау с Δ n eq 0. Вклад этих переходов влечет за собой как существенные уширение и сдвиг туннельного резонанса, так и значительные изменения в вольт-амперных характеристиках структур. Предсказанные особенности поведения вольт-амперных характеристик сверхрешеток в наклонном магнитном поле обнаружены экспериментально.

 
Сообщить о технических проблемах