ZhETF, Vol. 130,
No. 3,
p. 491 (September 2006)
(English translation - JETP,
Vol. 103, No. 3,
p. 428,
September 2006
available online at www.springer.com
)
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНСПОРТ В СВЕРХРЕШЕТКАХ GaAs/AlGaAs В СИЛЬНОМ НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Теленков М.П., Митягин Ю.А.
Received: March 17, 2006
PACS: 73.21.Fg, 73.22.Dj, 73.63.Hs
Исследован поперечный резонансно-туннельный транспорт в сверхрешетках GaAs/AlGaAs, обусловленный туннельными переходами между уровнями Ландау в соседних квантовых ямах, в сильном наклонном магнитном поле. Показано, что наличие продольной компоненты магнитного поля приводит к появлению интенсивных туннельных переходов между уровнями Ландау с Δ n
eq 0. Вклад этих переходов влечет за собой как существенные уширение и сдвиг туннельного резонанса, так и значительные изменения в вольт-амперных характеристиках структур. Предсказанные особенности поведения вольт-амперных характеристик сверхрешеток в наклонном магнитном поле обнаружены экспериментально.
|
|
Golden Pages
DJVU (136.6K)
PDF (379.6K)