ВЛИЯНИЕ ГРАНИЧНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ НА ЭФФЕКТИВНУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ СПИРАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА
Казначеев А.В., Пожидаев Е.П.

Поступила в редакцию: 3 Февраля 2015

DOI: 10.7868/S0044451015080234

DJVU (106.3K)

PDF (270.8K)

Представлены результаты теоретического исследования влияния граничных поверхностей жидкокристаллической ячейки на эффективную диэлектрическую восприимчивость спиральной структуры сегнетоэлектрического жидкого кристалла со смектической фазой C^* (C^*ЖК). Для этого рассмотрен вопрос о деформации и раскрутке спирали твердыми поверхностями, ограничивающими слой C^*ЖК. Получено аналитическое выражение для критической толщины d_c жидкокристаллического слоя, при которой происходит раскрутка спирали поверхностями. При расчете эффективной диэлектрической восприимчивости показано, что деформация спирали C^*ЖК границами приводит к возникновению анизотропии эффективной диэлектрической восприимчивости в плоскости, перпендикулярной оси спирали.