Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 148, No. 2, p. 407 (August 2015)
(English translation - JETP, Vol. 121, No. 2, p. 355, August 2015 available online at www.springer.com )

ВЛИЯНИЕ ГРАНИЧНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ НА ЭФФЕКТИВНУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ СПИРАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА
Казначеев А.В., Пожидаев Е.П.

Received: February 3, 2015

DOI: 10.7868/S0044451015080234

DJVU (106.3K) PDF (270.8K)

Представлены результаты теоретического исследования влияния граничных поверхностей жидкокристаллической ячейки на эффективную диэлектрическую восприимчивость спиральной структуры сегнетоэлектрического жидкого кристалла со смектической фазой C* (C*ЖК). Для этого рассмотрен вопрос о деформации и раскрутке спирали твердыми поверхностями, ограничивающими слой C*ЖК. Получено аналитическое выражение для критической толщины dc жидкокристаллического слоя, при которой происходит раскрутка спирали поверхностями. При расчете эффективной диэлектрической восприимчивости показано, что деформация спирали C*ЖК границами приводит к возникновению анизотропии эффективной диэлектрической восприимчивости в плоскости, перпендикулярной оси спирали.

 
Report problems