ВЫСОКАЯ T_c В КУПРАТAX КАК УНИВЕРСАЛЬНОЕ СВОЙСТВО ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЙ СИСТЕМЫ
Мазур Е.А., Каган Ю.

Поступила в редакцию: 3 Февраля 2015

DOI: 10.7868/S004445101508009X

DJVU (127.9K)

PDF (322.7K)

Теория Элиашберга, обобщенная за счет особых свойств электронной зоны конечной ширины для электрон-фононных (ЭФ) систем с непостоянной плотностью электронных состояний, а также с учетом электрон-дырочной неэквивалентности, частотного поведения перенормировки химического потенциала в зависимости от степени допирования и электронных корреляций в вершинной функции, используется для изучения T_c в купратах. Рассматривается фононный вклад в нодальную аномальную электронную функцию Грина (ФГ). Учитывается спаривание в пределах полной ширины электронной зоны, а не только в узком слое у поверхности Ферми. Частотная, температурная и зависимость от степени легирования комплексной перенормировки массы , , комплексной перенормировки химического потенциала , , плотности состояний , перенормированной за счет ЭФ-взаимодействия, полученные расчетным путем, используются для расчета электронной нодальной аномальной ФГ. Обнаружено, что эффект подавления вклада высоких частот в полученных заново уравнениях Элиашберга ЭФ-системы с конечной шириной электронной зоны является решающим фактором для проявления эффекта высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП). Показано, что вблизи оптимального допирования дырочного типа в купратах высокое значение T_c воспроизводится спектральной функцией электрон-фононного взаимодействия, полученной из туннельных экспериментов. С увеличением степени дырочного допирования, ведущей к увеличению степени электрон-дырочной неэквивалентности, новый логарифмический член в уравнениях для T_c имеет тенденцию увеличивать T_c, в то время как увеличение затухания носителей и, особенно, ослабление «обрезающего» фактора приводят к снижению T_c.