Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 148, No. 2, p. 275 (August 2015)
(English translation - JETP, Vol. 121, No. 2, p. 237, August 2015 available online at www.springer.com )

ВЫСОКАЯ Tc В КУПРАТAX КАК УНИВЕРСАЛЬНОЕ СВОЙСТВО ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЙ СИСТЕМЫ
Мазур Е.А., Каган Ю.

Received: February 3, 2015

DOI: 10.7868/S004445101508009X

DJVU (127.9K) PDF (322.7K)

Теория Элиашберга, обобщенная за счет особых свойств электронной зоны конечной ширины для электрон-фононных (ЭФ) систем с непостоянной плотностью электронных состояний, а также с учетом электрон-дырочной неэквивалентности, частотного поведения перенормировки химического потенциала в зависимости от степени допирования и электронных корреляций в вершинной функции, используется для изучения Tc в купратах. Рассматривается фононный вклад в нодальную аномальную электронную функцию Грина (ФГ). Учитывается спаривание в пределах полной ширины электронной зоны, а не только в узком слое у поверхности Ферми. Частотная, температурная и зависимость от степени легирования комплексной перенормировки массы \Re Z, \Im Z, комплексной перенормировки химического потенциала \Re\chi (\omega), \Im\chi (\omega), плотности состояний N(\varepsilon), перенормированной за счет ЭФ-взаимодействия, полученные расчетным путем, используются для расчета электронной нодальной аномальной ФГ. Обнаружено, что эффект подавления вклада высоких частот в полученных заново уравнениях Элиашберга ЭФ-системы с конечной шириной электронной зоны является решающим фактором для проявления эффекта высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП). Показано, что вблизи оптимального допирования дырочного типа в купратах высокое значение Tc воспроизводится спектральной функцией электрон-фононного взаимодействия, полученной из туннельных экспериментов. С увеличением степени дырочного допирования, ведущей к увеличению степени электрон-дырочной неэквивалентности, новый логарифмический член в уравнениях для Tc имеет тенденцию увеличивать Tc, в то время как увеличение затухания носителей и, особенно, ослабление «обрезающего» фактора приводят к снижению Tc.

 
Report problems