ЖЭТФ, Том 138,
Вып. 3,
стр. 557 (Сентябрь 2010)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 111, No 3,
p. 495,
September 2010
доступен on-line на www.springer.com
)
МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ В СТРУКТУРАХ p- Si/SiGe/Si С АНИЗОТРОПНЫМ g-ФАКТОРОМ
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А., Leadley D.R.
Поступила в редакцию: 17 Ноября 2009
Магнитосопротивление ρxx и ρxy и акустоэлектронные эффекты измерены в p- Si/SiGe/Si c концентрацией примесей  см-2 в температурной области 0.3-2 К и в наклонном магнитном поле до 18 Тл. Определена зависимость эффективного g-фактора от угла наклона θ магнитного поля относительно нормали к плоскости двумерного канала p- Si/SiGe/Si. В магнитных полях, соответствующих числу заполнения
u=2, при  -60 наблюдается фазовый переход первого рода ферромагнетик-парамагнетик.
|
|
Золотые страницы
DJVU (659.4K)
PDF (1237.2K)