Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 138, No. 3, p. 557 (September 2010)
(English translation - JETP, Vol. 111, No. 3, p. 495, September 2010 available online at www.springer.com )

МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ В СТРУКТУРАХ p- Si/SiGe/Si С АНИЗОТРОПНЫМ g-ФАКТОРОМ
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А., Leadley D.R.

Received: November 17, 2009

DJVU (659.4K) PDF (1237.2K)

Магнитосопротивление ρxx и ρxy и акустоэлектронные эффекты измерены в p- Si/SiGe/Si c концентрацией примесей p=1.99\cdot10^{11} см-2 в температурной области 0.3-2 К и в наклонном магнитном поле до 18 Тл. Определена зависимость эффективного g-фактора от угла наклона θ магнитного поля относительно нормали к плоскости двумерного канала p- Si/SiGe/Si. В магнитных полях, соответствующих числу заполнения u=2, при \theta\approx 59-60 наблюдается фазовый переход первого рода ферромагнетик-парамагнетик.

 
Report problems