ZhETF, Vol. 138,
No. 3,
p. 557 (September 2010)
(English translation - JETP,
Vol. 111, No. 3,
p. 495,
September 2010
available online at www.springer.com
)
МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В НАКЛОННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ В СТРУКТУРАХ p- Si/SiGe/Si С АНИЗОТРОПНЫМ g-ФАКТОРОМ
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Суслов А.В., Миронов О.А., Leadley D.R.
Received: November 17, 2009
Магнитосопротивление ρxx и ρxy и акустоэлектронные эффекты измерены в p- Si/SiGe/Si c концентрацией примесей  см-2 в температурной области 0.3-2 К и в наклонном магнитном поле до 18 Тл. Определена зависимость эффективного g-фактора от угла наклона θ магнитного поля относительно нормали к плоскости двумерного канала p- Si/SiGe/Si. В магнитных полях, соответствующих числу заполнения
u=2, при  -60 наблюдается фазовый переход первого рода ферромагнетик-парамагнетик.
|
|
Golden Pages
DJVU (659.4K)
PDF (1237.2K)