Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 162, No. 3, p. 432 (September 2022)
(English translation - JETP, Vol. 135, No. 3, p. 377, September 2022 available online at www.springer.com )

Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si на переменном токе
Смоляков Д.А., Рауцкий М.В., Бондарев И.А., Яковлев И.А., Овчинников С.Г., Волков Н.В., Тарасов А.С.

Received: April 28, 2022

DOI: 10.31857/S0044451022090176

PDF (1606.3K)

Были проведены исследования транспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поля и может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.

 
Report problems