Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 162, Вып. 3, стр. 432 (Сентябрь 2022)
(Английский перевод - JETP, Vol. 135, No 3, September 2022 доступен on-line на www.springer.com )

Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si на переменном токе
Смоляков Д.А., Рауцкий М.В., Бондарев И.А., Яковлев И.А., Овчинников С.Г., Волков Н.В., Тарасов А.С.

Поступила в редакцию: 28 Апреля 2022

DOI: 10.31857/S0044451022090176

PDF (1606.3K)

Были проведены исследования транспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поля и может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.

 
Сообщить о технических проблемах