Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 161, No. 6, p. 866 (June 2022)
(English translation - JETP, Vol. 134, No. 6, June 2022 available online at www.springer.com )

Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа
Виглин Н.А., Никулин Ю.В., Цвелиховская В.М., Павлов Т.Н., Проглядко В.В.

Received: December 2, 2021

DOI: 10.31857/S0044451022060104

PDF (343.4K)

В латеральных спиновых устройствах, изготовленных на полупроводниках InSb с различной концентрацией электронов, исследовались величина спин-индуцированного напряжения при эффекте Ханле и значение коэффициента спиновой поляризации электронов. Установлено, что с увеличением концентрации электронов величины как напряжения, так и коэффициента поляризации уменьшаются.

 
Report problems