Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 161, Вып. 6, стр. 866 (Июнь 2022)
(Английский перевод - JETP, Vol. 134, No 6, June 2022 доступен on-line на www.springer.com )

Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа
Виглин Н.А., Никулин Ю.В., Цвелиховская В.М., Павлов Т.Н., Проглядко В.В.

Поступила в редакцию: 2 Декабря 2021

DOI: 10.31857/S0044451022060104

PDF (343.4K)

В латеральных спиновых устройствах, изготовленных на полупроводниках InSb с различной концентрацией электронов, исследовались величина спин-индуцированного напряжения при эффекте Ханле и значение коэффициента спиновой поляризации электронов. Установлено, что с увеличением концентрации электронов величины как напряжения, так и коэффициента поляризации уменьшаются.

 
Сообщить о технических проблемах