ЖЭТФ, Том 161,
Вып. 6,
стр. 866 (Июнь 2022)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 134, No 6,
p. 736,
June 2022
доступен on-line на www.springer.com
)
Спиновый транспорт в полупроводниках InSb с различной плотностью электронного газа
Виглин Н.А., Никулин Ю.В., Цвелиховская В.М., Павлов Т.Н., Проглядко В.В.
Поступила в редакцию: 2 Декабря 2021
DOI: 10.31857/S0044451022060104
В латеральных спиновых устройствах, изготовленных на полупроводниках InSb с различной концентрацией электронов, исследовались величина спин-индуцированного напряжения при эффекте Ханле и значение коэффициента спиновой поляризации электронов. Установлено, что с увеличением концентрации электронов величины как напряжения, так и коэффициента поляризации уменьшаются.
|
|
Золотые страницы
PDF (343.4K)