Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 160, No. 3, p. 443 (September 2021)
(English translation - JETP, Vol. 133, No. 3, September 2021 available online at www.springer.com )

Электронные свойства NiO при сверхвысоких давлениях
Овчинников С.Г., Овчинникова Т.M.

Received: April 14, 2021

DOI: 10.31857/S004445102109011X

PDF (272.7K)

В рамках многоэлектронного подхода изучено влияние высокого давления на электронные свойства NiO. Физика низких энергий описывается эффективной моделью Хаббарда, учитывающей d-электроны Ni и p-электроны O в трех зарядовых секторах гильбертова пространства: нейтральных состояниях (конфигурации {d^8} + {d^9}\relax @@underline L @ \relax @@underline L @ \relax 2), состояниях с одной дыркой (конфигурации {d^7} + {d^8}\relax @@underline L @ \relax @@underline L @ \relax 2) и состояниях с одним добавленным электроном ({d^9} + {d^{10}}\relax @@underline L @ \relax ), где \relax @@underline L @ \relax обозначает дырку на лиганде. Из-за кроссовера термов с высоким спином (HS) и низким спином (LS) в состояниях с одной дыркой при давлении PS, определяемом конкуренцией хундовского внутриатомного обменного взаимодействия и увеличивающегося с давлением кристаллического поля 10Dq, эффективный параметр Хаббарда Ueff и зарядовая щель Eg зависят от давления. Мы получили слабое увеличение Eg для P < PS и слабое уменьшение Eg для P > PS. Давление перехода Мотта-Хаббарда оценивается в интервале 450-650 ГПа.

 
Report problems