Journal of Experimental and Theoretical Physics

HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP

Journal Issues

Manuscript Submission

Guidelines for Authors

Manuscript Status

Contacts

ZhETF, Vol. 160, No. 3, p. 443 (September 2021)
(English translation - JETP, Vol. 133, No. 3, p. 374, September 2021 available online at www.springer.com )

Электронные свойства NiO при сверхвысоких давлениях
Овчинников С.Г., Овчинникова Т.M.

Received: April 14, 2021

DOI: 10.31857/S004445102109011X

PDF (272.7K)

В рамках многоэлектронного подхода изучено влияние высокого давления на электронные свойства NiO. Физика низких энергий описывается эффективной моделью Хаббарда, учитывающей d-электроны Ni и p-электроны O в трех зарядовых секторах гильбертова пространства: нейтральных состояниях (конфигурации ${d^8} + {d^9}\relax$ @@underline L @ \relax @@underline L @ \relax ²), состояниях с одной дыркой (конфигурации ${d^7} + {d^8}\relax$ @@underline L @ \relax @@underline L @ \relax ²) и состояниях с одним добавленным электроном ( ${d^9} + {d^{10}}\relax$ @@underline L @ \relax ), где \relax @@underline L @ \relax обозначает дырку на лиганде. Из-за кроссовера термов с высоким спином (HS) и низким спином (LS) в состояниях с одной дыркой при давлении P_S, определяемом конкуренцией хундовского внутриатомного обменного взаимодействия и увеличивающегося с давлением кристаллического поля 10Dq, эффективный параметр Хаббарда U_eff и зарядовая щель E_g зависят от давления. Мы получили слабое увеличение E_g для P < P_S и слабое уменьшение E_g для P > P_S. Давление перехода Мотта-Хаббарда оценивается в интервале 450-650 ГПа.

Report problems