ЖЭТФ, Том 160,
Вып. 3,
стр. 443 (Сентябрь 2021)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 133, No 3,
p. 374,
September 2021
доступен on-line на www.springer.com
)
Электронные свойства NiO при сверхвысоких давлениях
Овчинников С.Г., Овчинникова Т.M.
Поступила в редакцию: 14 Апреля 2021
DOI: 10.31857/S004445102109011X
В рамках многоэлектронного подхода изучено влияние высокого давления на электронные свойства NiO. Физика низких энергий описывается эффективной моделью Хаббарда, учитывающей d-электроны Ni и p-электроны O в трех зарядовых секторах гильбертова пространства: нейтральных состояниях (конфигурации @@underline L @ \relax @@underline L @ \relax 2), состояниях с одной дыркой (конфигурации @@underline L @ \relax @@underline L @ \relax 2) и состояниях с одним добавленным электроном (@@underline L @ \relax ), где \relax @@underline L @ \relax обозначает дырку на лиганде. Из-за кроссовера термов с высоким спином (HS) и низким спином (LS) в состояниях с одной дыркой при давлении PS, определяемом конкуренцией хундовского внутриатомного обменного взаимодействия и увеличивающегося с давлением кристаллического поля 10Dq, эффективный параметр Хаббарда Ueff и зарядовая щель Eg зависят от давления. Мы получили слабое увеличение Eg для P < PS и слабое уменьшение Eg для P > PS. Давление перехода Мотта-Хаббарда оценивается в интервале 450-650 ГПа.
|
|