Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 160, No. 2, p. 197 (August 2021)
(English translation - JETP, Vol. 133, No. 2, August 2021 available online at www.springer.com )

Разработка дизайна сверхмногопериодных излучающих структур терагерцевого диапазона, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Герчиков Л.Г., Дашков А.С., Горай Л.И., Буравлев А.Д.

Received: December 9, 2020

DOI: 10.31857/S0044451021080058

PDF (285.3K)

Разработан дизайн источника терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешетки AlGaAs/GaAs, получаемой методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассчитаны коэффициент усиления и уровень оптических потерь и определены параметры источника, при которых возможна генерация ТГц-излучения. Исследовано резонансное поведение коэффициента усиления, обусловленное сильным перемешиванием туннельно-связанных электронных состояний.

 
Report problems