ЖЭТФ, Том 160,
Вып. 2,
стр. 197 (Август 2021)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 133, No 2,
p. 161,
August 2021
доступен on-line на www.springer.com
)
Разработка дизайна сверхмногопериодных излучающих структур терагерцевого диапазона, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Герчиков Л.Г., Дашков А.С., Горай Л.И., Буравлев А.Д.
Поступила в редакцию: 9 Декабря 2020
DOI: 10.31857/S0044451021080058
Разработан дизайн источника терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешетки AlGaAs/GaAs, получаемой методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассчитаны коэффициент усиления и уровень оптических потерь и определены параметры источника, при которых возможна генерация ТГц-излучения. Исследовано резонансное поведение коэффициента усиления, обусловленное сильным перемешиванием туннельно-связанных электронных состояний.
|
|
Золотые страницы
PDF (285.3K)