Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 160, No. 1, p. 24 (July 2021)
(English translation - JETP, Vol. 133, No. 1, July 2021 available online at www.springer.com )

Применение магнито-индуцированных переходов атомов 85Rb, D2-линии, в когерентных процессах
Саргсян А., Тоноян А., Саркисян Д.

Received: January 25, 2021

DOI: 10.31857/S0044451021070038

PDF (579.7K)

Впервые использованы магнито-индуцированные (MI) переходы атомов 85Rb, D2-линии, F_g=2 \rightarrow F_e=4 в случае циркулярно поляризованного σ +-излучения для формирования оптических темных резонансов в сильных магнитных полях (вплоть до 1 кГс) в процессе электромагнитно-индуцированной прозрачности (EIT). Используется ячейка толщиной 1.5 мкм, заполненная парами атомов Rb. Вероятности двух из пяти MI-переходов (которые эффективно формируются только при σ +-поляризованном излучении) в интервале магнитных полей 0.2-1 кГс превосходят вероятности «обычных» атомных переходов, что делает целесообразным их использование в Λ -системах для формирования темного резонанса (DR). Установлено следующее правило: для формирования темного резонанса в Λ -системе при использовании пробного излучения на частоте MI-переходов в случае σ +-поляризованного излучения поляризация излучения связывающего лазера также должна быть σ +; DR не формируется в случае поляризации излучения связывающего лазера σ -, что подтверждается и расчетной теоретической кривой. Отмечено существенное преимущество использования MI-резонансов для процесса EIT по сравнению с использованием обычных атомных переходов 85Rb, D2-линии. Формирование темных резонансов в сильных магнитных полях, когда имеет место смещение частоты DR на несколько ГГц, имеет практические применения.

 
Report problems