Применение магнито-индуцированных переходов атомов ⁸⁵Rb, D₂-линии, в когерентных процессах
Саргсян А., Тоноян А., Саркисян Д.

Received: January 25, 2021

DOI: 10.31857/S0044451021070038

PDF (579.7K)

Впервые использованы магнито-индуцированные (MI) переходы атомов ⁸⁵Rb, D₂-линии, в случае циркулярно поляризованного σ ⁺-излучения для формирования оптических темных резонансов в сильных магнитных полях (вплоть до 1 кГс) в процессе электромагнитно-индуцированной прозрачности (EIT). Используется ячейка толщиной 1.5 мкм, заполненная парами атомов Rb. Вероятности двух из пяти MI-переходов (которые эффективно формируются только при σ ⁺-поляризованном излучении) в интервале магнитных полей 0.2-1 кГс превосходят вероятности «обычных» атомных переходов, что делает целесообразным их использование в Λ -системах для формирования темного резонанса (DR). Установлено следующее правило: для формирования темного резонанса в Λ -системе при использовании пробного излучения на частоте MI-переходов в случае σ ⁺-поляризованного излучения поляризация излучения связывающего лазера также должна быть σ ⁺; DR не формируется в случае поляризации излучения связывающего лазера σ ^-, что подтверждается и расчетной теоретической кривой. Отмечено существенное преимущество использования MI-резонансов для процесса EIT по сравнению с использованием обычных атомных переходов ⁸⁵Rb, D₂-линии. Формирование темных резонансов в сильных магнитных полях, когда имеет место смещение частоты DR на несколько ГГц, имеет практические применения.