ЖЭТФ, Том 160,
Вып. 1,
стр. 24 (Июль 2021)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 133, No 1,
p. 16,
July 2021
доступен on-line на www.springer.com
)
Применение магнито-индуцированных переходов атомов 85Rb, D2-линии, в когерентных процессах
Саргсян А., Тоноян А., Саркисян Д.
Поступила в редакцию: 25 Января 2021
DOI: 10.31857/S0044451021070038
Впервые использованы магнито-индуцированные (MI) переходы атомов 85Rb, D2-линии, в случае циркулярно поляризованного σ +-излучения для формирования оптических темных резонансов в сильных магнитных полях (вплоть до 1 кГс) в процессе электромагнитно-индуцированной прозрачности (EIT). Используется ячейка толщиной 1.5 мкм, заполненная парами атомов Rb. Вероятности двух из пяти MI-переходов (которые эффективно формируются только при σ +-поляризованном излучении) в интервале магнитных полей 0.2-1 кГс превосходят вероятности «обычных» атомных переходов, что делает целесообразным их использование в Λ -системах для формирования темного резонанса (DR). Установлено следующее правило: для формирования темного резонанса в Λ -системе при использовании пробного излучения на частоте MI-переходов в случае σ +-поляризованного излучения поляризация излучения связывающего лазера также должна быть σ +; DR не формируется в случае поляризации излучения связывающего лазера σ -, что подтверждается и расчетной теоретической кривой. Отмечено существенное преимущество использования MI-резонансов для процесса EIT по сравнению с использованием обычных атомных переходов 85Rb, D2-линии. Формирование темных резонансов в сильных магнитных полях, когда имеет место смещение частоты DR на несколько ГГц, имеет практические применения.
|
|