Терагерцевая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами
Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Жолудев М.С., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Terre F.

Received: June 27, 2018

DOI: 10.1134/S0044451018120167

PDF (303.7K)

Исследована фотолюминесценция объемных пленок и гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в дальнем ИК-диапазоне при межзонном оптическом возбуждении. Обнаружены линии фотолюминесценции, положение которых не зависит от температуры, а интенсивность немонотонно изменяется с ростом температуры. Показано, что данные линии связаны с излучательной рекомбинацией дырок на однократно ионизованные вакансии ртути. Резкое увеличение равновесной концентрации таких центров, участвующих в формировании сигнала фотолюминесценции при изменении температуры от 40 до 70 К, приводит к немонотонной температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции.