![](/img/nop.png)
ЖЭТФ, Том 154,
Вып. 6,
стр. 1226 (Декабрь 2018)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 127, No 6,
p. 1125,
December 2018
доступен on-line на www.springer.com
)
Терагерцевая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами
Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Жолудев М.С., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Terre F.
Поступила в редакцию: 27 Июня 2018
DOI: 10.1134/S0044451018120167
Исследована фотолюминесценция объемных пленок и гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в дальнем ИК-диапазоне при межзонном оптическом возбуждении. Обнаружены линии фотолюминесценции, положение которых не зависит от температуры, а интенсивность немонотонно изменяется с ростом температуры. Показано, что данные линии связаны с излучательной рекомбинацией дырок на однократно ионизованные вакансии ртути. Резкое увеличение равновесной концентрации таких центров, участвующих в формировании сигнала фотолюминесценции при изменении температуры от 40 до 70 К, приводит к немонотонной температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции.
|
|