Процесс формирования отрицательным мюоном ионизованного акцепторного центра (_μ A)^- в кристаллах со структурой алмаза
Белоусов Ю.М.

Received: June 14, 2016

DOI: 10.7868/S0044451016120117

PDF (260.6K)

Рассмотрен процесс формирования ионизованного акцепторного центра, образованного отрицательным мюоном в кристаллах со структурой алмаза. Отрицательный мюон, попадая в мишень, захватывается ядром, образуя мюонный атом _μ A, связанный с решеткой. Возникший радиационный дефект обладает значительным электрическим дипольным моментом в силу нарушения локальной симметрии решетки и изменяет фононный спектр кристалла. Ионизованный акцепторный центр образуется в результате захвата электрона, взаимодействующего с электрическим дипольным моментом дефекта, и излучения фонона локальной моды, возникшей в результате деформации. Получены оценки верхней и нижней границы скорости образования ионизованного акцепторного центра в кристаллах алмаза, кремния и германия. Показано, что кинетика процесса формирования акцепторного центра должна учитываться при обработке данных μ SR-экспериментов.