ЖЭТФ, Том 150,
Вып. 6,
стр. 1160 (Декабрь 2016)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 123, No 6,
p. 1008,
December 2016
доступен on-line на www.springer.com
)
Процесс формирования отрицательным мюоном ионизованного акцепторного центра (μ A)- в кристаллах со структурой алмаза
Белоусов Ю.М.
Поступила в редакцию: 14 Июня 2016
DOI: 10.7868/S0044451016120117
Рассмотрен процесс формирования ионизованного акцепторного центра, образованного отрицательным мюоном в кристаллах со структурой алмаза. Отрицательный мюон, попадая в мишень, захватывается ядром, образуя мюонный атом μ A, связанный с решеткой. Возникший радиационный дефект обладает значительным электрическим дипольным моментом в силу нарушения локальной симметрии решетки и изменяет фононный спектр кристалла. Ионизованный акцепторный центр образуется в результате захвата электрона, взаимодействующего с электрическим дипольным моментом дефекта, и излучения фонона локальной моды, возникшей в результате деформации. Получены оценки верхней и нижней границы скорости образования ионизованного акцепторного центра в кристаллах алмаза, кремния и германия. Показано, что кинетика процесса формирования акцепторного центра должна учитываться при обработке данных μ SR-экспериментов.
|
|