ZhETF, Vol. 143,
No. 5,
p. 872 (May 2013)
(English translation - JETP,
Vol. 116, No. 5,
p. 755,
May 2013
available online at www.springer.com
)
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПОДВИЖНОСТИ В ИЗОМОРФНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ In0.53 Ga0.47 As НА InP
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.
Received: August 31, 2012
DOI: 10.7868/S0044451013050066
Исследовано влияние уровня легирования, освещения и ширины изоморфных квантовых ям In0.52 Al0.48 As/ In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As, выращенных на подложках InP, на подвижность электронов. Обнаружена замороженная фотопроводимость при низких температурах. Рассчитаны зонные диаграммы и найдены оптимальные параметры для получения максимальной электронной подвижности. Из данных по эффекту Шубникова - де Гааза получены квантовые и транспортные величины подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизованных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизованных примесях в исследуемых образцах является при низких температурах доминирующим.
|
|
Golden Pages
DJVU (76.7K)
PDF (566K)