Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 143, Вып. 5, стр. 872 (Май 2013)
(Английский перевод - JETP, Vol. 116, No 5, p. 755, May 2013 доступен on-line на www.springer.com )

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПОДВИЖНОСТИ В ИЗОМОРФНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ In0.53 Ga0.47 As НА InP
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А.

Поступила в редакцию: 31 Августа 2012

DOI: 10.7868/S0044451013050066

DJVU (76.7K) PDF (566K)

Исследовано влияние уровня легирования, освещения и ширины изоморфных квантовых ям In0.52 Al0.48 As/ In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As, выращенных на подложках InP, на подвижность электронов. Обнаружена замороженная фотопроводимость при низких температурах. Рассчитаны зонные диаграммы и найдены оптимальные параметры для получения максимальной электронной подвижности. Из данных по эффекту Шубникова - де Гааза получены квантовые и транспортные величины подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизованных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизованных примесях в исследуемых образцах является при низких температурах доминирующим.

 
Сообщить о технических проблемах