ZhETF, Vol. 142,
No. 5,
p. 1044 (November 2012)
(English translation - JETP,
Vol. 115, No. 5,
p. 918,
November 2012
available online at www.springer.com
)
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕДИ
Сайпулаева Л.А., Габибов Ф.С., Мельникова Нина.В., Алибеков А.Г., Хейфец О.Л., Бабушкин А.Н., Курочка К.В.
Received: April 2, 2012
Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSe3, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsS3, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимулированной проводимости в CuInAsS3 оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.
|
|