Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 142, No. 5, p. 1044 (November 2012)
(English translation - JETP, Vol. 115, No. 5, p. 918, November 2012 available online at www.springer.com )

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕДИ
Сайпулаева Л.А., Габибов Ф.С., Мельникова Нина.В., Алибеков А.Г., Хейфец О.Л., Бабушкин А.Н., Курочка К.В.

Received: April 2, 2012

DJVU (121.5K) PDF (497.9K)

Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSe3, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsS3, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимулированной проводимости в CuInAsS3 оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.

 
Report problems