СВОЙСТВА ПЛАНАРНЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ Nb/α- Si/Nb С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАНИЯ α- Si-ПРОСЛОЙКИ
Гудков А.Л., Куприянов М.Ю., Самусь А.Н.

Received: July 29, 2011

DJVU (271.7K)

PDF (1510.2K)

Представлены результаты экспериментальных исследований свойств планарных джозефсоновских переходов Nb/α- Si/Nb с различной степенью легирования прослойки из аморфного кремния. В качестве легирующей примеси был использован вольфрам. Мы показали, что при изменении степени легирования α- Si-прослойки свойства джозефсоновских переходов полностью меняются. Изменяется механизм транспорта тока и изменяется форма вольт-амперной характеристики таких переходов. В случае полностью вырожденной α- Si-прослойки были получены джозефсоновские переходы с непосредственной проводимостью SNS-типа. Свойства таких переходов описываются классической резистивной моделью. В случае меньшей степени легирования α- Si-прослойки были получены джозефсоновские переходы, в которых наблюдался резонансный механизм транспорта тока через примесные центры. Продемонстрировано изменение высокочастотных свойств таких переходов. Проведенные исследования показали, что эти переходы наиболее близки к джозефсоновским переходам SINIS-типа.