Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 141, Вып. 5, стр. 939 (Май 2012)
(Английский перевод - JETP, Vol. 114, No 5, p. 818, May 2012 доступен on-line на www.springer.com )

СВОЙСТВА ПЛАНАРНЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ Nb/α- Si/Nb С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАНИЯ α- Si-ПРОСЛОЙКИ
Гудков А.Л., Куприянов М.Ю., Самусь А.Н.

Поступила в редакцию: 29 Июля 2011

DJVU (271.7K) PDF (1510.2K)

Представлены результаты экспериментальных исследований свойств планарных джозефсоновских переходов Nb/α- Si/Nb с различной степенью легирования прослойки из аморфного кремния. В качестве легирующей примеси был использован вольфрам. Мы показали, что при изменении степени легирования α- Si-прослойки свойства джозефсоновских переходов полностью меняются. Изменяется механизм транспорта тока и изменяется форма вольт-амперной характеристики таких переходов. В случае полностью вырожденной α- Si-прослойки были получены джозефсоновские переходы с непосредственной проводимостью SNS-типа. Свойства таких переходов описываются классической резистивной моделью. В случае меньшей степени легирования α- Si-прослойки были получены джозефсоновские переходы, в которых наблюдался резонансный механизм транспорта тока через примесные центры. Продемонстрировано изменение высокочастотных свойств таких переходов. Проведенные исследования показали, что эти переходы наиболее близки к джозефсоновским переходам SINIS-типа.

 
Сообщить о технических проблемах