Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 140, No. 6, p. 1113 (December 2011)
(English translation - JETP, Vol. 113, No. 6, December 2011 available online at www.springer.com )

ВЛИЯНИЕ РЕКОНСТРУКЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-7\times 7 НА ДИФФУЗИЮ АТОМОВ СТРОНЦИЯ
Жачук Р.А., Тийс С.А., Ольшанецкий Б.З.

Received: March 14, 2011

DJVU (496.8K) PDF (4.6M)

Методами сканирующей туннельной микроскопии и моделированием с использованием теории функционала плотности и метода Монте-Карло исследована диффузия атомов стронция по поверхности Si(111) при комнатной температуре. Найдено, что на процесс диффузии значительное влияние оказывает реконструкция чистой поверхности кремния со структурой 7\times 7. Определена средняя скорость движения атома стронция в ячейке структуры 7\times 7. Определены основные пути диффузии атома стронция и соответствующие им энергии активации. Показано, что на формирование полученных с помощью сканирующего туннельного микроскопа изображений поверхности Si(111)-7\times 7 с адсорбированными атомами стронция значительное влияние оказывает смещение электронной плотности от атома стронция к ближайшим адатомам кремния в структуре 7\times 7.

 
Report problems