Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 140, Вып. 6, стр. 1113 (Декабрь 2011)
(Английский перевод - JETP, Vol. 113, No 6, December 2011 доступен on-line на www.springer.com )

ВЛИЯНИЕ РЕКОНСТРУКЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-7\times 7 НА ДИФФУЗИЮ АТОМОВ СТРОНЦИЯ
Жачук Р.А., Тийс С.А., Ольшанецкий Б.З.

Поступила в редакцию: 14 Марта 2011

DJVU (496.8K) PDF (4.6M)

Методами сканирующей туннельной микроскопии и моделированием с использованием теории функционала плотности и метода Монте-Карло исследована диффузия атомов стронция по поверхности Si(111) при комнатной температуре. Найдено, что на процесс диффузии значительное влияние оказывает реконструкция чистой поверхности кремния со структурой 7\times 7. Определена средняя скорость движения атома стронция в ячейке структуры 7\times 7. Определены основные пути диффузии атома стронция и соответствующие им энергии активации. Показано, что на формирование полученных с помощью сканирующего туннельного микроскопа изображений поверхности Si(111)-7\times 7 с адсорбированными атомами стронция значительное влияние оказывает смещение электронной плотности от атома стронция к ближайшим адатомам кремния в структуре 7\times 7.

 
Сообщить о технических проблемах