ЭЛЕКТРОННЫЙ СПИНОВЫЙ РЕЗОНАНС В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/GaAs с δ-СЛОЕМ МАРГАНЦА
Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Зайцев С.В.

Received: June 28, 2010

DJVU (192.2K)

PDF (581.7K)

Исследованы статические и высокочастотные динамические магнитные свойства, а также фотолюминесценция двумерных полупроводниковых гетероструктур GaAs, содержащих квантовую яму InGaAs и тонкий слой марганца (δ-слой). Установлены температура Кюри К и поле магнитной анизотропии Э ферромагнитного δ-слоя марганца. В спектре спинового резонанса обнаружена линия в слабых полях (от -50 до 100 Э), наблюдаемая в том же температурном интервале T<40 K, в котором происходит ферромагнитное упорядочение δ-слоя марганца. Данная линия, по-видимому, обусловлена нерезонансным вкладом спин-зависимого рассеяния носителей заряда в отрицательное магнитосопротивление. Зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля также свидетельствуют о ферромагнитном поведении δ-слоя марганца.