ЖЭТФ, Том 139,
Вып. 2,
стр. 367 (Февраль 2011)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 112, No 2,
p. 317,
February 2011
доступен on-line на www.springer.com
)
ЭЛЕКТРОННЫЙ СПИНОВЫЙ РЕЗОНАНС В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/GaAs с δ-СЛОЕМ МАРГАНЦА
Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Зайцев С.В.
Поступила в редакцию: 28 Июня 2010
Исследованы статические и высокочастотные динамические магнитные свойства, а также фотолюминесценция двумерных полупроводниковых гетероструктур GaAs, содержащих квантовую яму InGaAs и тонкий слой марганца (δ-слой). Установлены температура Кюри  К и поле магнитной анизотропии  Э ферромагнитного δ-слоя марганца. В спектре спинового резонанса обнаружена линия в слабых полях (от -50 до 100 Э), наблюдаемая в том же температурном интервале T<40 K, в котором происходит ферромагнитное упорядочение δ-слоя марганца. Данная линия, по-видимому, обусловлена нерезонансным вкладом спин-зависимого рассеяния носителей заряда в отрицательное магнитосопротивление. Зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля также свидетельствуют о ферромагнитном поведении δ-слоя марганца.
|
|
Золотые страницы
DJVU (192.2K)
PDF (581.7K)