ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НИТРИДА КРЕМНИЯ ПО ДАННЫМ ab initio КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТОВ И ЭКСПЕРИМЕНТА
Некрашевич С.С., Гриценко В.А., Клаузер Р., Гво С.

Received: March 25, 2010

DJVU (223.3K)

PDF (973.4K)

Методом фотоэлектронной спектроскопии экспериментально определен перенос заряда на связи Si-N в нитриде кремния Δ Q=0.35e, определена ионная формула нитрида кремния Si₃^+1.4 N₄^-1.05. Методом функционала плотности ab initio изучена электронная структура α- Si₃ N₄. Результаты расчета (парциальная плотность состояний) сопоставлены с экспериментом по рентгеновской эмиссионной спектроскопии аморфного Si₃ N₄. С использованием синхротронного излучения при разных энергиях возбуждения изучена электронная структура валентной зоны аморфного Si₃ N₄. Теоретически оценены величины электронной и дырочной эффективных масс . Расчетные величины соответствуют экспериментальным данным по туннельной инжекции электронов и дырок в нитрид кремния.