Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 138, No. 4, p. 745 (October 2010)
(English translation - JETP, Vol. 111, No. 4, p. 659, October 2010 available online at www.springer.com )

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НИТРИДА КРЕМНИЯ ПО ДАННЫМ ab initio КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТОВ И ЭКСПЕРИМЕНТА
Некрашевич С.С., Гриценко В.А., Клаузер Р., Гво С.

Received: March 25, 2010

DJVU (223.3K) PDF (973.4K)

Методом фотоэлектронной спектроскопии экспериментально определен перенос заряда на связи Si-N в нитриде кремния Δ Q=0.35e, определена ионная формула нитрида кремния Si3+1.4 N4-1.05. Методом функционала плотности ab initio изучена электронная структура α- Si3 N4. Результаты расчета (парциальная плотность состояний) сопоставлены с экспериментом по рентгеновской эмиссионной спектроскопии аморфного Si3 N4. С использованием синхротронного излучения при разных энергиях возбуждения изучена электронная структура валентной зоны аморфного Si3 N4. Теоретически оценены величины электронной и дырочной эффективных масс m^*_e\approx m^*_h\approx 0.5m_e. Расчетные величины соответствуют экспериментальным данным по туннельной инжекции электронов и дырок в нитрид кремния.

 
Report problems