Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 138, Вып. 4, стр. 745 (Октябрь 2010)
(Английский перевод - JETP, Vol. 111, No 4, p. 659, October 2010 доступен on-line на www.springer.com )

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НИТРИДА КРЕМНИЯ ПО ДАННЫМ ab initio КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТОВ И ЭКСПЕРИМЕНТА
Некрашевич С.С., Гриценко В.А., Клаузер Р., Гво С.

Поступила в редакцию: 25 Марта 2010

DJVU (223.3K) PDF (973.4K)

Методом фотоэлектронной спектроскопии экспериментально определен перенос заряда на связи Si-N в нитриде кремния Δ Q=0.35e, определена ионная формула нитрида кремния Si3+1.4 N4-1.05. Методом функционала плотности ab initio изучена электронная структура α- Si3 N4. Результаты расчета (парциальная плотность состояний) сопоставлены с экспериментом по рентгеновской эмиссионной спектроскопии аморфного Si3 N4. С использованием синхротронного излучения при разных энергиях возбуждения изучена электронная структура валентной зоны аморфного Si3 N4. Теоретически оценены величины электронной и дырочной эффективных масс m^*_e\approx m^*_h\approx 0.5m_e. Расчетные величины соответствуют экспериментальным данным по туннельной инжекции электронов и дырок в нитрид кремния.

 
Сообщить о технических проблемах