Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 136, No. 2, p. 393 (August 2009)
(English translation - JETP, Vol. 109, No. 2, p. 339, August 2009 available online at www.springer.com )

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА NiMnSb/GaAs( 110)
Еремеев С.В., Бакулин А.В., Кулькова С.Е.

Received: February 24, 2009

PACS: 73.20.-r, 73.61.At, 73.61.Ey, 75.70.Cn

DJVU (216.8K) PDF (588.1K)

В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела (110) между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов. Обнаружено, что две из шести возможных атомных конфигураций границы раздела обладают высокой степенью спиновой поляризации, которая достигает 100 % для одной из изученных интерфейсных структур. Показано, что контакты с наибольшей спиновой поляризацией являются также наиболее стабильными с энергией адгезии около 1.3 Дж/м2.

 
Report problems