ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА NiMnSb/GaAs( 110)
Еремеев С.В., Бакулин А.В., Кулькова С.Е.

Поступила в редакцию: 24 Февраля 2009

PACS: 73.20.-r, 73.61.At, 73.61.Ey, 75.70.Cn

DJVU (216.8K)

PDF (588.1K)

В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела (110) между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов. Обнаружено, что две из шести возможных атомных конфигураций границы раздела обладают высокой степенью спиновой поляризации, которая достигает 100 % для одной из изученных интерфейсных структур. Показано, что контакты с наибольшей спиновой поляризацией являются также наиболее стабильными с энергией адгезии около 1.3 Дж/м².