ZhETF, Vol. 136,
No. 1,
p. 105 (July 2009)
(English translation - JETP,
Vol. 109, No. 1,
p. 90,
July 2009
available online at www.springer.com
)
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ В ИНЖЕКЦИОННОМ РЕЖИМЕ
Масловская А.Г., Копылова И.Б.
Received: February 2, 2009
PACS: 77.80.-e
Представлены результаты экспериментальных исследований процесса переполяризации сегнетоэлектрического кристалла ТГС в режиме инжекции электронных пучков растрового электронного микроскопа под поверхностный слой. Построена серия моделей, отражающая динамику переполяризации сегнетоэлектрического кристалла под действием инжектированного заряда. Реализация моделей основана на принципах эволюции доменных структур с учетом анализа возможных механизмов переполяризации сегнетоэлектрических образцов. Разработанная на этих принципах математическая модель дает качественное сходство между модельными импульсами тока и экспериментально полученными в инжекционном режиме.
|
|
Golden Pages
DJVU (64.3K)
PDF (228.3K)