ЖЭТФ, Том 136,
Вып. 1,
стр. 105 (Июль 2009)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 109, No 1,
p. 90,
July 2009
доступен on-line на www.springer.com
)
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ В ИНЖЕКЦИОННОМ РЕЖИМЕ
Масловская А.Г., Копылова И.Б.
Поступила в редакцию: 2 Февраля 2009
PACS: 77.80.-e
Представлены результаты экспериментальных исследований процесса переполяризации сегнетоэлектрического кристалла ТГС в режиме инжекции электронных пучков растрового электронного микроскопа под поверхностный слой. Построена серия моделей, отражающая динамику переполяризации сегнетоэлектрического кристалла под действием инжектированного заряда. Реализация моделей основана на принципах эволюции доменных структур с учетом анализа возможных механизмов переполяризации сегнетоэлектрических образцов. Разработанная на этих принципах математическая модель дает качественное сходство между модельными импульсами тока и экспериментально полученными в инжекционном режиме.
|
|
Золотые страницы
DJVU (64.3K)
PDF (228.3K)