ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ АМПЛИТУДНАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ КРИСТАЛЛЕ CdF₂ : Ga
Ритус А.И., Волков А.А.

Received: April 4, 2005

PACS: 72.20.-i, 72.80.-r, 77.22.-d, 78.20.-e

DJVU (99.5K)

PDF (363.2K)

Показано, что в аддитивно окрашенном кристалле CdF₂:Ga с бистабильными DX-центрами после охлаждения до 150 К и освещения сине-зеленым светом сквозь щелевую маску можно получить дифракционную решетку субмиллиметрового диапазона, которая сохраняется в течение длительного времени при температурах 160-240 К. При этом фотоиндуцированная в образце дифракционная решетка является амплитудной. Поглощение в засвеченных областях образца обусловлено проводимостью, связанной с переводом примесных центров в метастабильное донорное состояние. В полученной проводящей структуре типа n-i-n-i величина проводимости в n-областях при 225 К достигает величины .