Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 127, Вып. 6, стр. 1310 (Июнь 2005)
(Английский перевод - JETP, Vol. 100, No 6, p. 1153, June 2005 доступен on-line на www.springer.com )

ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ АМПЛИТУДНАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ КРИСТАЛЛЕ CdF2 : Ga
Ритус А.И., Волков А.А.

Поступила в редакцию: 4 Апреля 2005

PACS: 72.20.-i, 72.80.-r, 77.22.-d, 78.20.-e

DJVU (99.5K) PDF (363.2K)

Показано, что в аддитивно окрашенном кристалле CdF2:Ga с бистабильными DX-центрами после охлаждения до 150 К и освещения сине-зеленым светом сквозь щелевую маску можно получить дифракционную решетку субмиллиметрового диапазона, которая сохраняется в течение длительного времени при температурах 160-240 К. При этом фотоиндуцированная в образце дифракционная решетка является амплитудной. Поглощение в засвеченных областях образца обусловлено проводимостью, связанной с переводом примесных центров в метастабильное донорное состояние. В полученной проводящей структуре типа n-i-n-i величина проводимости в n-областях при 225 К достигает величины \sigma'\approx 0.24 \text{Ом}^{-1}\cdot\text{см}^{-1}.

 
Сообщить о технических проблемах