ТУННЕЛЬНАЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В p-n-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ И ДРУГИХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА A^\text{III}B^\text{V}
Кудряшов В.Е., Юнович А.Э.

Received: April 22, 2003

PACS: 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.40.Gk, 78.60.Fi, 78.67.De

DJVU (84.5K)

PDF (368.6K)

Дано обобщение экспериментальных результатов о туннельном излучении, полученных как для p-n-гетероструктур на основе GaN, так и для p-n-структур на основе кубических полупроводников A^IIIB^V: GaAs, InP, GaSb и (Ga, In)Sb. Туннельное излучение в p-n-гетероструктурах типа InGaN/AlGaN/GaN в спектральном диапазоне 1.9-2.7 эВ преобладает при малых токах (J<0.2 мА). Положение максимума спектра приблизительно равно приложенному потенциалу, . Спектральная полоса излучения описывается теорией туннельной излучательной рекомбинации. Туннельное излучение обусловлено сильными электрическими полями в GaN-гетероструктурах. Вероятность его выше для структур с пьезоэлектрическими полями. Спектры сопоставлены со спектрами туннельного излучения светодиодов на основе GaAs, InP и GaSb. Экспериментальные результаты для разных полупроводников в широком диапазоне энергий описываются уравнением -2.7 эВ.