Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 124, Вып. 5, стр. 1133 (Ноябрь 2003)
(Английский перевод - JETP, Vol. 97, No 5, p. 1015, November 2003 доступен on-line на www.springer.com )

ТУННЕЛЬНАЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В p-n-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ И ДРУГИХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА A\text{III}B\text{V}
Кудряшов В.Е., Юнович А.Э.

Поступила в редакцию: 22 Апреля 2003

PACS: 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.40.Gk, 78.60.Fi, 78.67.De

DJVU (84.5K) PDF (368.6K)

Дано обобщение экспериментальных результатов о туннельном излучении, полученных как для p-n-гетероструктур на основе GaN, так и для p-n-структур на основе кубических полупроводников AIIIBV: GaAs, InP, GaSb и (Ga, In)Sb. Туннельное излучение в p-n-гетероструктурах типа InGaN/AlGaN/GaN в спектральном диапазоне 1.9-2.7 эВ преобладает при малых токах (J<0.2 мА). Положение максимума спектра \hbar\omega_{max} приблизительно равно приложенному потенциалу, \hbar\omega_{max}= eU. Спектральная полоса излучения описывается теорией туннельной излучательной рекомбинации. Туннельное излучение обусловлено сильными электрическими полями в GaN-гетероструктурах. Вероятность его выше для структур с пьезоэлектрическими полями. Спектры сопоставлены со спектрами туннельного излучения светодиодов на основе GaAs, InP и GaSb. Экспериментальные результаты для разных полупроводников в широком диапазоне энергий описываются уравнением \hbar\omega_{max} = eU = 0.5-2.7 эВ.

 
Сообщить о технических проблемах