ZhETF, Vol. 123,
No. 4,
p. 857 (April 2003)
(English translation - JETP,
Vol. 96, No. 4,
p. 757,
April 2003
available online at www.springer.com
)
ТЕПЛОЕМКОСТЬ И ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ МАНГАНИТА Sm0.55Sr0.45MnO3 ВБЛИЗИ Tc В ПОЛЯХ ДО 26 кЭ: ФЛУКТУАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ И СЦЕНАРИЙ РАЗВИТИЯ КОЛОССАЛЬНОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Абдулвагидов Ш.Б., Камилов И.К., Алиев А.М., Батдалов А.Б.
Received: October 2, 2002
PACS: 75.30.Vn, 75.40.Cx, 75.30.Kz
С целью количественного исследования флуктуационных эффектов и уточнения сценария развития колоссального магнитосопротивления в окрестности Tc проведены прецизионные измерения теплоемкости и электросопротивления манганита Sm0.55Sr0.45MnO3 в интервале температур 77-300 К и магнитных полей до 26 кЭ. Экспериментально обнаружен и интерпретирован новый тип гистерезиса, обусловленный скачкообразным изменением Tc при фазовом переходе ферромагнетик-парамагнетик. Впервые экспериментально обнаружено влияние флуктуаций параметра порядка на теплоемкость манганита Sm0.55Sr0.45MnO3 и дана количественная оценка флуктуационных эффектов, обоснован флуктуационный механизм колоссального магнитосопротивления вблизи Tc. В сильном магнитном поле при приближении к Tc обнаружен переход от одномерного критического поведения к трехмерному. Показано, что магнитное поле преобразует статическую картину реализации микроскопических ферромагнитных областей в Sm0.55Sr0.45MnO3 вблизи Tc в динамическую. Обнаружена анизотропия колоссального магнитосопротивления Sm0.55Sr0.45MnO3, зависящая от взаимной ориентации внешнего магнитного поля и электрического тока, протекающего по образцу. Показано, что электросопротивление Sm0.55Sr0.45MnO3 хорошо описывается в рамках модели двойного обмена.
|
|